R2的电阻值,满足I1>I条件,但R1,R2不能过小,否则I1过大,增加直 流 电源消耗,而且增大了对输入信号源的旁路作用,一般取I1=(5-10)IB 由于不同类型场效应管对偏置电路极性要求不同,就栅源电压而言,N 沟道,结型和耗尽型MS管,栅源电压一般为负(耗尽型MOS管栅源电压可 正可负可零)而增强型MoS管栅源电压一般为正(N沟道,开启电压),另外 场效应管栅极不取电流,故其偏置电路更简单。场效应管偏置电路根据其特 点有 V V VDD R1 2 尺3 R3 R2 R2 分压偏置 自给偏置 零偏置 如自偏置电路中,利用漏极电流在R2上的分压就可产生所需的栅源电压,R2 还能对漏极电流进行自动调节。对DMOS管还可采用零偏置。 另外还有双电源供电的偏置电路和恒流源偏置电路,双电源供电的偏置电路 见教材142页(基极接地,发射极接负电源),恒流源偏置电路后讲。R2的电阻值，满足 I1>>IBQ条件 ，但R1，R2不能过小，否则I1过大，增加直 流 电源消耗，而且增大了对输入信号源的旁路作用，一般取I1=（5--10）IBQ 由于不同类型场效应管对偏置电路极性要求不同，就栅源电压而言， N 沟道，结型和耗尽型MOS管， 栅源电压一般为负（耗尽型 MOS管栅源电压可 正可负可零）而增强型MOS管栅源电压一般为正（N沟道，开启电压），另外 场效应管栅极不取电流，故其偏置电路更简单。场效应管偏置电路根据其特 点有：分压偏置、自偏置和零偏置，如下所示： 如自偏置电路中，利用漏极电流在R2上的分压就可产生所需的栅源电压，R2 还能对漏极电流进行自动调节。对DMOS管还可采用零偏置。 另外还有双电源供电的偏置电路和恒流源偏置电路，双电源供电的偏置电路 见教材142页（基极接地，发射极接负电源），恒流源偏置电路后讲。 分压偏置 自给偏置 零偏置 VDD VDD VDD