磁电阻效应 >正常磁电阻(OMR,NMR) 普遍存在的，磁场对载流子的洛仑兹力引起的，电阻增大的 效应。通常非常微弱，特别对薄膜可以忽略。 >各向异性磁电阻(AMR) 铁磁金属中，电阻率与电流、磁化之间的夹角有关。通常 Pr+2P(p-p_)(cos0- 3 △p pi-p Pu/3+2p,/3 N的合金中AMR较大，室温下约5%。缘于自旋轨道作用。 Magnetic multilayers and giant magnetoresistance:fundamentals and industrial applications,Springer 2000➢ 各向异性磁电阻（AMR） 铁磁金属中，电阻率与电流、磁化之间的夹角有关。通常 Ni的合金中AMR较大，室温下约5 ％。缘于自旋轨道作用。  j M 磁电阻效应 ➢ 正常磁电阻（OMR, NMR） 普遍存在的，磁场对载流子的洛仑兹力引起的，电阻增大的 效应。通常非常微弱，特别对薄膜可以忽略。 ) 3 1 ( )(cos 3 2 2 // // + − − + = ⊥ ⊥       // / 3 2 / 3 // ⊥ ⊥ + − =        Magnetic multilayers and giant magnetoresistance : fundamentals and industrial applications, Springer 2000