教学大纲 第一章导论及基本单元（共计4学时，2学时讲授+2学时讨论） 1.本章教学内容： 1.导论(1学时) (1)数字IC设计概述 (2)数字IC设计的质量评价 Ⅱ.制造工艺及器件概述(1学时) (I)CMOS IC的制造工艺技术发展及趋势 (2)MOSFET晶体管特性 (3)工艺偏差 Ⅲ.中国集成电路的发展和现状（讨论，2学时） (1)讨论课：学生提前准备3-4个讨论专题，课上共同讨论，教师点评 (2)学生自主获取信息、撰写PPT、上台报告，初步尝试全英文讲述模式 2.本章教学要求： 本章是数字IC设计的导论部分。通过对CMOS制造工艺以及半导体器件的简单回顾， 从MOS器件所实现功能的角度，突出它们在数字逻辑门设计中一些重要的特性和参数，使 学生对器件特性有一个直观的理解，能够识别器件寄生参数的来源。 3.本章教学重点： (1)现代数字集成电路设计中的问题及挑战 (2)数字电路设计的抽象层次与质量评价方法 (3)器件特性及寄生参数来源 4.本章教学难点： (1)用于手工分析的MOS晶体管模型 (2)数字电路质量评价参数及其相互影响与制约平衡的关系 第二章电路设计（共计16学时，12学时讲授+4学时讨论） 1.本章教学内容： 1.CMOS组合逻辑电路设计(4学时) (1)静态CMOS设计 (2)动态CMOS设计 l.电路延时(2学时)教学大纲 第一章 导论及基本单元 （共计 4 学时，2 学时讲授+2 学时讨论） 1. 本章教学内容： I. 导论 （1 学时） (1) 数字 IC 设计概述 (2) 数字 IC 设计的质量评价 II．制造工艺及器件概述（1 学时） (1) CMOS IC 的制造工艺技术发展及趋势 (2) MOSFET 晶体管特性 (3) 工艺偏差 III．中国集成电路的发展和现状（讨论，2 学时） (1) 讨论课：学生提前准备 3-4 个讨论专题，课上共同讨论，教师点评 (2) 学生自主获取信息、撰写 PPT、上台报告，初步尝试全英文讲述模式 2. 本章教学要求： 本章是数字 IC 设计的导论部分。通过对 CMOS 制造工艺以及半导体器件的简单回顾， 从 MOS 器件所实现功能的角度，突出它们在数字逻辑门设计中一些重要的特性和参数，使 学生对器件特性有一个直观的理解，能够识别器件寄生参数的来源。 3. 本章教学重点： (1) 现代数字集成电路设计中的问题及挑战 (2) 数字电路设计的抽象层次与质量评价方法 (3) 器件特性及寄生参数来源 4. 本章教学难点： (1) 用于手工分析的 MOS 晶体管模型 (2) 数字电路质量评价参数及其相互影响与制约平衡的关系 第二章 电路设计（共计 16 学时，12 学时讲授+4 学时讨论） 1. 本章教学内容： I. CMOS 组合逻辑电路设计（4 学时） (1) 静态 CMOS 设计 (2) 动态 CMOS 设计 II. 电路延时（2 学时）