兰的修正因子（可参阅资昆、谢希悠著（伴号体物理学》 (3)结合电导率的测量，求载流子的迁移率4。电导率σ与载流子浓度n以及迁 移率μ之间有如下关系： (5) 即4=|R,G,测出σ值即可求4。 3.尔效应与材料性能的关系 根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大（即迁移率高、电 阻率p亦较高)的材料。因1R:上p,就金属导体而言，u和p均很低，而不良导体p 虽高，但“极小，因而上述两种材料的霍尔系数都很小，不能用来制造霍尔器件。半导 体“高，P适中，是制造霍尔元件较理想的材料，由于电子的迁移率比空穴迁移率大， 所于霍尔元件多采用N型材料，其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此薄膜型 的霍尔元件的输出电压较片状要高得多。就霍尔器件而言，其厚度是一定的，所以实用 上采用Km= md来表示器件的灵敏度，K,称为霍尔灵敏度，单位为mVmA.T)。 4.实验方法 (I)霍尔电压'm的测量方法 值得注意的是，在产生霍尔效应的同时，因伴随着各种副效应，以致实验测得的A、 A两极间的电压并不等于真实的霍尔电压V,值，而是包含着各种副效应所引起的附加 电压，因此必须设法消除。根据副效应产生的机理可知，采用电流和磁场换向的对称测 量法，基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。即在规定了电流和磁场正、反方向 后，分别测量由下列四组不同方向的I,和B组合的V4(A、A两点的电位差)即： +B,+I Vr=V -B,+Is '4=', -B,-1 Va=Vs +B,-Is VIA=V, 然后求、'2、和V,的代数平均值。 n=-5+y-y (6) 11 11 8 3 的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》）。 （3）结合电导率的测量，求载流子的迁移率  。电导率  与载流子浓度 n 以及迁 移率  之间有如下关系：   ne (5) 即  ＝| RH | ，测出  值即可求  。 3．霍尔效应与材料性能的关系 根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大（即迁移率高、电 阻率  亦较高）的材料。因 | RH |  ，就金属导体而言，  和  均很低，而不良导体  虽高，但  极小，因而上述两种材料的霍尔系数都很小，不能用来制造霍尔器件。半导 体  高，  适中，是制造霍尔元件较理想的材料，由于电子的迁移率比空穴迁移率大， 所于霍尔元件多采用 N 型材料，其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此薄膜型 的霍尔元件的输出电压较片状要高得多。就霍尔器件而言，其厚度是一定的，所以实用 上采用 ned K H 1  来表示器件的灵敏度， K H 称为霍尔灵敏度，单位为 mV/(mA.T) 。 4．实验方法 (1）霍尔电压 VH 的测量方法 值得注意的是，在产生霍尔效应的同时，因伴随着各种副效应，以致实验测得的 A 、 A 两极间的电压并不等于真实的霍尔电压 VH 值，而是包含着各种副效应所引起的附加 电压，因此必须设法消除。根据副效应产生的机理可知，采用电流和磁场换向的对称测 量法，基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。即在规定了电流和磁场正、反方向 后，分别测量由下列四组不同方向的 S I 和 B 组合的 VA' A （ A' 、 A 两点的电位差）即： ＋Ｂ，＋ S I VA' A ＝V1 －Ｂ，＋ S I VA' A ＝V2 －Ｂ，－ S I VA' A ＝V3 ＋Ｂ，－ S I VA' A ＝V4 然后求 V1 、V2 、V3 和 V4 的代数平均值。 VH ＝ 4 V1 V2 V3 V4 （６）