隧道磁电阻(Tunneling MR) Top electrode Bottom electrode a >中间绝缘层足够 Large flow of electrons →low resistance 薄(<2nm),电 Filled states Empty states 70% 子有机会穿越之。 Small flow of electrons >隧穿几率与初、 →large resistance 终态密度有关。能 b 带交换劈裂下，关 Less scattering →low resistance 联于顶、底电极的 15% 相对磁化方向。 Much scattering >高磁阻，低磁场。 →large resistance 电阻大。 Magnetic configuration Mechanism Result J.S.Moodera and P.LeClair,Nat.Mater:2(2003)707隧道磁电阻（Tunneling MR） ➢ 中间绝缘层足够 薄（<2 nm），电 子有机会穿越之。 ➢ 隧穿几率与初、 终态密度有关。能 带交换劈裂下，关 联于顶、底电极的 相对磁化方向。 ➢ 高磁阻，低磁场。 电阻大。 J. S. Moodera and P. LeClair, Nat. Mater. 2 (2003) 707