基于霍尔效应的普通磁阻效应 概念：磁阻效应（Magnetoresistance Effects):是1857年由英国物 理学家威廉•汤姆森发现的，是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁 场变化而变化的现象。 原理：同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦 兹力而产生的。在达到稳态时，某一速度的载流子所受到的电场力与 洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流 子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转 这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说，沿外加电场方向运动 的载流子数减少，从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。 分类：若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场 与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质 量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因 而无纵向磁阻效应。 电子技大学 戚材料与传感器课限组电子科技大学 敏感材料与传感器 课程组 制作 基于霍尔效应的普通磁阻效应  概念：磁阻效应（Magnetoresistance Effects）:是1857年由英国物 理学家威廉•汤姆森发现的，是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁 场变化而变化的现象。  原理：同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦 兹力而产生的。在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与 洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流 子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。 这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说，沿外加电场方向运动 的载流子数减少，从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。  分类：若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场 与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质 量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因 而无纵向磁阻效应