当在金属电极上加正电压VG时， 金属 氧化物 在电场的作用下，电极下P型 (Si02) 区域里的多数载流子空穴被排 斥、驱赶，形成了一个耗尽区。 界面势 电子 半导体 (PSi) 势 而对于少数载流子电子，电场则吸引它到电极下的耗尽区。 耗尽区对于带负电的电子来讲是一个势能很低的区域称为 6 势阱” 势阱积累电子的容量取决于势阱的“深度”，而表面 势的大小近似与栅压VG成正比。 如果有光入射到半导体硅片上，在光子的作用下，半导 体硅产生电子一空穴对，由此产生的光电子被表面的势 阱所吸收。而空穴被电场排斥出耗尽区。金属 VG 氧化物 （SiO2） 半导体 (P—Si) 电子 势阱 界 面 势 如果有光入射到半导体硅片上，在光子的作用下，半导 体硅产生电子－空穴对，由此产生的光电子被表面的势 阱所吸收。而空穴被电场排斥出耗尽区。 当在金属电极上加正电压VG时， 在电场的作用下，电极下Ｐ型 区域里的多数载流子空穴被排 斥、驱赶，形成了一个耗尽区。 而对于少数载流子电子，电场则吸引它到电极下的耗尽区。 耗尽区对于带负电的电子来讲是一个势能很低的区域称为 “势阱” 。 势阱积累电子的容量取决于势阱的“深度”，而表面 势的大小近似与栅压VG成正比