6,半导体pn结附近总是堆积着正、负电荷,在 区:p2(x) P区:p2(x)=-Ne 其中 且-xn≤x≤p 求E 结 p型半导体的载流子主要是空穴 六n型半导体的载流子主要是自由电子 两者互相接触时交界区域称为pn结 *为什么n区聚集正电荷,而p区聚集负电荷? 因为p区的P>n区的P空,空穴从p区向n区扩散 n区的P子>P区的P电子,电子从n区向p区扩散 造成p区一侧带负电,n区一侧带正电 注意:p-n结两侧堆积的正负电荷层并不是自由载流子(空穴 或电子)的堆积,而实际上是受主和施主离子的束缚电荷所 构成,形成偶极层。 区 自由电子扩散后 n区就缺少了负电荷,剩下了施主离子 空穴扩散后 的正电荷被束缚在施主离子上不能自留下了受主离子的负束缚电荷; 由移动; 扩散到此的自由电子与p区的空穴 扩散到此的空穴与自由电子复合,同时复合,净多出受主离子的负束缚电 净多出施主离子的正束缚电荷。 荷 E束缚电荷 负束缚电荷 偶极层9 6．半导体 p—n 结附近总是堆积着正、负电荷，在     = − = P x N e n x N e e A e D ( ) ( )   区： 区： 其中 NA xP = N D xn ,且− xn  x  p 求 E p-n 结 *p 型半导体的载流子主要是空穴 *n 型半导体的载流子主要是自由电子 *两者互相接触时交界区域称为 p-n 结 *为什么 n 区聚集正电荷，而 p 区聚集负电荷？ 因为 p 区的  空穴 >n 区的  空穴 ，空穴从 p 区向 n 区扩散 n 区的 电子 >P 区的 电子 ，电子从 n 区向 p 区扩散 *造成 p 区一侧带负电，n 区一侧带正电 注意：p-n 结两侧堆积的正负电荷层并不是自由载流子（空穴 或电子）的堆积，而实际上是受主和施主离子的束缚电荷所 构成，形成偶极层。 n 区 p 区 偶极层 自由电子扩散后 n 区就缺少了负电荷，剩下了施主离子 的正电荷被束缚在施主离子上不能自 由移动； 扩散到此的空穴与自由电子复合，同时 净多出施主离子的正束缚电荷。 正束缚电荷 空穴扩散后 留下了受主离子的负束缚电荷； 扩散到此的自由电子与 p 区的空穴 复合，净多出受主离子的负束缚电 荷。 负束缚电荷