霍尔效应:在于电流垂直的方向施加磁场,则在垂直于 电流轴和磁场轴所组成的平面的方向上产生电位差。这 种电位差为霍尔电压。霍尔元件(磁传感器), InSb,GaAs半导体元件已实用化。 磁致电阻效应:施加磁场使物质电阻发生变化的现象称 为磁致电阻效应。包含两项:与磁场强度H有关(正常 磁致电阻效应)和与磁化强度相关(异常磁致电阻效 应),其中第二项贡献最大。 各向异性磁致电阻效应:电阻率变化与磁化方向相关。 高灵敏度读取用的MR磁头,就是利用这种效应。 利用该效应的材料有:巨磁致电阻效应材料、超巨磁致 电阻效应材料。霍尔效应：在于电流垂直的方向施加磁场，则在垂直于 电流轴和磁场轴所组成的平面的方向上产生电位差。这 种电位差为霍尔电压。霍尔元件（磁传感器）， InSb,GaAs半导体元件已实用化。 磁致电阻效应：施加磁场使物质电阻发生变化的现象称 为磁致电阻效应。包含两项：与磁场强度H有关（正常 磁致电阻效应）和与磁化强度相关（异常磁致电阻效 应），其中第二项贡献最大。 各向异性磁致电阻效应：电阻率变化与磁化方向相关。 高灵敏度读取用的MR磁头，就是利用这种效应。 利用该效应的材料有：巨磁致电阻效应材料、超巨磁致 电阻效应材料