返回 ③求lD::Ua=U-Us=UG-R3D (24V) U-U/x3.31+0.73 G D =2.02m4 R R Rd 4.7k ④求UDbs: 100k2 UDS=ED-ID(RD+Rs)=10.47v DS (1)求 10000s g 2D UG R1+R =3.3Ⅳ Rg2 16 kQ ②求:Us 电路仿真 s=IDRs=iRsIpss(I -)2=101+ UGs(off): 2 而 U=U。-U、=3.31-101+c GS G loss =5mA 解二次方程:Ua+44Uo+2.68=0 两个根:{1 367增根,Uos(∥)=-2V UGS(off) uGs(v) Us2=-073合理。 休息1休息ED 例：已知 I DSS = 5mA. UGS ( off ) = −2V . 100V . 转 移特性曲线及输出特性曲线 。 1 =  ⑴计算静态工作点： （注意：一般 BJT： UBE = 0.6V ,而FET :UGS未知） ① 求： UG UG 3.31V R R R E U g1 g2 g2 D G = + = ②求：US ： US 2 2 GS GS GS S D S S DSS 2 U ) 1 0 1 U ( off ) U U I R R I ( 1       = = − = + 而: 2 GS GS G S 2 U U U U 3.31 10 1       = − = − + 解二次方程：U 4.4UGS 2.68 0 2 GS + + = 两个根：    = − = − = − 合理。 增根， U 0.73V U 3.67V U ( off ) 2V GS 2 GS 1  GS I DSS = 5mA UGS ( off ) = −2V u (V ) GS D i + UDS - ID ③ 求 D GS G S G S D I : U = U −U = U − R I 2.02mA R 3.31 0.73 R U U I S S G GS D = + = −  = ④ 求 UDS： U E I (R R ) 1 0.4 7V . D S = D − D D + S = 休息1休息2 电路仿真 返回