ic/mA ,交流负载线 50 40 30 20 一直流负载线 5 6 VCE/V (a) (b) 图题4.3.5 解：(1)由图题4.3.5b可知，直流负载线与横坐标轴的交点即Vcc值的 大小，故Vcc=6V。由Q点的位置可知，1o=20uA,1cg=1mA,Vc0=3V。 (2)由基极回路得 _Vec=300k 由集一射极回路得 n.-Ve k) Ico (3)求输出电压的最大不失真幅度。 由交流负载线与输出特性的交点可知，在输人信号的正半周，输出电压 从3V到0.8V,变化范围为2.2V;在输入信号的负半周，输出电压E从3V到 4.6V,变化范围为1.6V。综合起来考虑，输出电压的最大不失真幅度为1.6V。 (4)基极正弦电流的最大幅值是204A。 4.3.6设PNP型硅BJT的电路如图题4.3.6所示。问在什么变化范围 内，使T工作在放大区？令B=100。 解：从不进入饱和区角度考虑，应有"c≥ 4思) 1V,即应满足 tec=VE-(-Vcc)-ie(R。+R.)≥lV "c=10V+10V-ie(10+5)×1030≥1V 则应有ie≤1.27mA。 又vE=VE-icR.,将ie≤1.27mA代入 此式，则≥10V-1.27×103×10×103V, 即应有e≥-2.7V。 从不进入截止区的角度考虑，应满足 C166) =0.7V,即v=(E-0.7)V,故ta≥53.4V 时，T工作在放大区。 图题4.3.6 5