4.1.1JFET的结构和工作原理 2.工作原理 (以N沟道JFET为例) ③Vcs和Vs同时作用时 当v<Vs<0时,导电沟 道更容易夹断,对于同样 的vs,JD的值比ves=0时 的值要小 R 在预夹断处 GD DS HOME BACK NEXT① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应 的栅源电压VGS称为夹断 电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP <0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 → → VGS继续减小，沟道 继续变窄 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时，VDS → ID  G、D间PN结的反向电 压增加，使靠近漏极处的 耗尽层加宽，沟道变窄， 从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预 夹断。 此时VDS  → 夹断区延长 → 沟道电阻→ID基本不变 ③ VGS和VDS同时作用时 当VP <VGS<0 时，导电沟 道更容易夹断，对于同样 的VDS ，ID的值比VGS=0时 的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP 2. 工作原理 4.1.1 JFET的结构和工作原理