除次电离外,能引起雪崩的其他因素: 光子的作用: 雪崩形成大量的电离和大量的激发,~106sec; 伴随着雪崩过程,退激产生大量的光子。 光子与气体和器壁作用,打出光电子,~107sec; 光电子又可以引起新的雪崩。 二次电子发射: 雪崩区产生的正离子经过~103sec到达器壁, 并可能在器壁上打出二次电子 二次电子又可以引起新的雪崩。 非自持雪崩、自持雪崩除次电离外，能引起雪崩的其他因素： 光子与气体和器壁作用，打出光电子，~107 sec； 光电子又可以引起新的雪崩。 二次电子发射： 雪崩区产生的正离子经过~103 sec到达器壁， 并可能在器壁上打出二次电子。 光子的作用： 雪崩形成大量的电离和大量的激发，~106 sec ; 伴随着雪崩过程，退激产生大量的光子。 二次电子又可以引起新的雪崩。 非自持雪崩、自持雪崩