3反向击穿特性 in(mA) 当加在二极管上的 反偏电压超过某 Si 数值VBR时,反偏电 流将急剧增大,这 种现象称为二极管 BR BR 的反向击穿 HA1.0 =0.1pA Si 图113二极管的反向击穿特性 ●● ●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●当加在二极管上的 反偏电压超过某一 数值VBR时，反偏电 流将急剧增大，这 种现象称为二极管 的 反 向 击 穿 图1.13 二极管的反向击穿特性 3.反向击穿特性