2、二极管状态判断 例1:2CP1(硅),F=16mA,VR=40V。求V、L。 R=10ko R=lkQ R=10kQ R=10kQ VI 10V 20V +10V +|100V (b) (d) 正偏 正偏 反偏 反偏 D正向导通?D正向导通!D反向截止D反向击穿 v=?11=10v齐纳:电§ D=0 D 普通:热击穿一损坏 BR 二极管状态判断方法 V>0VD正向导通? 假设D截止(开路) 求D两端开路电压 kR<V≤0VD反向截止,D=0 v≤-Vh→D反向击穿,v=-V2、二极管状态判断 例1：2CP1（硅），IF=16mA，VBR=40V。求VD、ID。 + ID VD R=10k VI − + − 10V + ID VD R=10k VI − + − 10V + ID VD R=1k VI − + − 20V + ID VD R=10k VI − + − 100V (a) (b) (c) (d) 正偏 正偏 反偏 反偏 iD > IF ？ D反向截止 ID = 0 VD = -10V D反向击穿 iD = ？ vD =？ 二极管状态判断方法 假设D截止（开路）， 求D两端开路电压 普通：热击穿－损坏 齐纳：电击穿 VD = - VBR= -40V VD > 0V D正向导通？ - VBR < VD  0V D反向截止， ID = 0 VD  - VBR D反向击穿， VD = - VBR D正向导通？ D正向导通！