四、ESD基本知識介紹: ()靜電放電模式 1.人體放電模式 人體放電模式(HBM的是指因人體在地上走動磨擦或其他因素在人體上已累積了靜電’當此 人去碰觸到IC時,人體上的靜電便經由IC的腳(pin)而進人IC內’再經由IC放電到地上去。 此放電的過程會在短到幾百毫微秒(ns, nanosecond,l0-sec)的時間內產生數安培的瞬間放電電 流,電流會把I內的元件給燒毀. 2.機器放電模式 機器放電模式(Mw的是指機器(例如機器手臂)本身累積了靜電’當此機器去碰觸到I時 該靜電便經由℃C的pin放電。因為大多數機器都是用金屬製造的’其機器放電的等效電阻為0 W;由於機器放電模式的等效電阻為零’故其放電的過程更短·在幾毫微秒到幾十毫微秒之內 會有數安培的瞬間放電電流產生·因吒對元件的破瓌力更大元件放電模式 4.元件放電模式 元件放電模式(CDM是指C先因磨擦或其他因素而在C內部累積了靜電’但在靜電累積 的過程中I並未受傷。此帶有靜電的囻C在處理過程中·當其pi去碰觸到接地面時’IC內部 的靜電便會經由pin自囻C內部流岀來’而造成了放電的現象φ此種模式的放電時間更短·僅約 幾毫微秒之內’而且此放電現象更難以真實的被模擬 (二).影響靜電荷產生量的因素 1.相對溼度 靜電壓(kV) 靜電之產生 相對溼度20%相對溼度80% 在乙烯基材質的地板走動 12 0.25 在人造地毯上走動 35 1.5 坐離發泡椅墊 18 1.5 拿起聚乙烯塑膠袋 20 0.6 在地上滑動苯乙烯材質的箱子 18 1.5 移除PC板上的Myar膠帶 1.5 PC板上的收箱膜 16 3 作動真空吸錫器 噴電路冾凝噴霧劑 15 5四、ESD 基本知識介紹: (一).靜電放電模式. 1. 人體放電模式. 人體放電模式(HBM)的是指因人體在地上走動磨擦或其他因素在人體上已累積了靜電，當此 人去碰觸到 IC 時，人體上的靜電便經由 IC 的腳(pin)而進入 IC 內，再經由 IC 放電到地上去。 此放電的過程會在短到幾百毫微秒(ns, nanosecond,10-9sec)的時間內產生數安培的瞬間放電電 流，電流會把 IC 內的元件給燒毀. 2. 機器放電模式. 機器放電模式(MM)的是指機器(例如機器手臂)本身累積了靜電，當此機器去碰觸到 IC 時， 該靜電便經由 IC 的 pin 放電。因為大多數機器都是用金屬製造的，其機器放電的等效電阻為 0 W；由於機器放電模式的等效電阻為零，故其放電的過程更短，在幾毫微秒到幾十毫微秒之內 會有數安培的瞬間放電電流產生，因此對元件的破壞力更大元件放電模式. 4. 元件放電模式 元件放電模式(CDM)是指 IC 先因磨擦或其他因素而在 IC 內部累積了靜電，但在靜電累積 的過程中 IC 並未受傷。此帶有靜電的 IC 在處理過程中，當其 pin 去碰觸到接地面時，IC 內部 的靜電便會經由 pin 自 IC 內部流出來，而造成了放電的現象。此種模式的放電時間更短，僅約 幾毫微秒之內，而且此放電現象更難以真實的被模擬. (二).影響靜電荷產生量的因素 1. 相對溼度 噴電路冷凝噴霧劑 15 5 作動真空吸錫器 8 1 PC板上的收縮膜 16 3 移除PC板上的Mylar 膠帶 12 1.5 在地上滑動苯乙烯材質的箱子 18 1.5 拿起聚乙烯塑膠袋 20 0.6 坐離發泡椅墊 18 1.5 在人造地毯上走動 35 1.5 在乙烯基材質的地板走動 12 0.25 相對溼度20% 相對溼度80% 靜電壓 (kV) 靜電之產生 噴電路冷凝噴霧劑 15 5 作動真空吸錫器 8 1 PC板上的收縮膜 16 3 移除PC板上的Mylar 膠帶 12 1.5 在地上滑動苯乙烯材質的箱子 18 1.5 拿起聚乙烯塑膠袋 20 0.6 坐離發泡椅墊 18 1.5 在人造地毯上走動 35 1.5 在乙烯基材質的地板走動 12 0.25 相對溼度20% 相對溼度80% 靜電壓 (kV) 靜電之產生