拟电子彼求 第1章半导体二极管 反向击穿类型: 电击穿一PN结未损坏,断电即恢复。 热击穿一RN结烧毁。 反向击穿原因: 齐纳击穿:反向电场太强,将电子强行拉出共价键。 ( Zener)(击穿电压<6V,负温度系数) 雪崩击穿:反向电场使电子加速,动能增大,撞击 使自由电子数突增。 (击穿电压>6V,正温度系数) 击穿电压在6V左右时,温度系数趋近零。反向击穿类型： 电击穿 热击穿 反向击穿原因： 齐纳击穿： (Zener) 反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 < 6 V，负温度系数) 雪崩击穿：反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 (击穿电压 > 6 V，正温度系数) 击穿电压在 6 V 左右时，温度系数趋近零。 第 1 章 半导体二极管