化学沉淀法制备纳米材料的影响因素有事些？ 知何对化学沉淀法进行优化？ 第五章利用化学气相沉积技术在铜箔等表面生长石墨烯 1.教学方法：实验 2.教学手段：多媒体 及教学重点：化学气相沉积法的原理和制各步骤 本教学难点：化学气相沉积法的原理 5.作业布置：实验报告 6.大纲要求：熟练堂据化学气相沉积法制各石墨烯的原理 7。基本内容 实验目的： 1,了解化学气相沉积系统的主要组成和使用方法 2、掌阴箔的前处理方法 不、握在阴精上原位化学气相生长的主要步 4、了解石墨烯的基本表征方法。以拉曼光谱为例进行讲解 二。实验原理 CD:利用甲烷等含碳化合物作为碳词 高温分解，在基体表面生长石烯。其生长机理可以分为渗碳析暖机制和表面生长机制。渗碳析暖机制生 100 50u CD三个主要组成因素： C源：主要为烃类，如甲烷、乙烯、乙块，达择碳源主要考虑分解温度、分解速度和分解产物三方面。 生长基体：主要包含金属箱，选择依据为：金属的熔点。溶C量。是否有稳定的金网碳化物，另外金属品体类型及品体取向也会影响石烯的生长 生长条件：气压为分为常压，低压(1010)和超低压（小于10-3a) 温度分为高温（大于800℃），中温(600-800℃)和任温（小千00℃） 三，卖龄仪器与药品 靠，丙副。盐酸，酸和案乙二醇，去离子水，聚苯乙烯，管式炉，：(0e国和，P。真空干燥前，过硫酸装，酒拉曼光谱仪 四。实验步： (1)网箱的抛光处现 实验中首先对铜箱进行表面机城抛光处乳，使铜范表面形成无划痕的镜面。用丙酮超声清洗机城抛光后的铜箱10，然后用25%盐酸超声清洗10， 最后将清洗后的铜洁进行电化学精抛光，以85%感酸和聚乙二醇)体积比为3：1的溶液为抛光液，电化学抛光电压范围为一2Y,将铜箱放置于正极进行 抛光1800s。电化学抛光结束后将铜箱经丙酮超声清洗10，再用25%盐酸超声清洗10，最后用去离子水将铜箔冲洗干净，气吹干。 《2)石堡烯的生长化学沉淀法制备纳米材料的影响因素有哪些？ 如何对化学沉淀法进行优化？ 第五章 利用化学气相沉积技术在铜箔等表面生长石墨烯  1. 教学方法: 实验  2. 教学手段: 多媒体  3. 教学重点: 化学气相沉积法的原理和制备步骤  4. 教学难点: 化学气相沉积法的原理  5. 作业布置: 实验报告  6. 大纲要求: 熟练掌握化学气相沉积法制备石墨烯的原理  7. 基本内容: 一． 实验目的：  1、了解化学气相沉积系统的主要组成和使用方法  2、 掌握铜箔的前处理方法  3、 掌握在铜箔上原位化学气相生长的主要步骤  4、了解石墨烯的基本表征方法，以拉曼光谱为例进行讲解 二． 实验原理    CVD：利用甲烷等含碳化合物作为碳源，高温分解，在基体表面生长石墨烯。其生长机理可以分为渗碳析碳机制和表面生长机制。渗碳析碳机制主 要原理为，对于Ni等具有较高溶C量的金属基体，碳源裂解产生的碳原子在高温时渗入，温度降低，从基体中析出成核，长大成石墨烯。表面生长机制,对于 铜等具有较低的溶C量的金属基体，高温下，气态碳源裂解生成碳原子吸附于表面，生长成石墨烯岛，再二维长大合并得到石墨烯。  CVD三个主要组成因素：  C源;主要为烃类，如甲烷、乙烯、乙炔，选择碳源主要考虑分解温度、分解速度和分解产物三方面。 生长基体：主要包含金属箔，选择依据为：金属的熔点，溶C量，是否有稳定的金属碳化物，另外金属晶体类型及晶体取向也会影响石墨烯的生长。 生长条件：气压为分为常压，低压（105-10-3 Pa）和超低压（小于10-3 Pa） 温度分为高温（大于800℃），中温（600-800℃）和低温（小于600℃） 三． 实验仪器与药品 铜箔，丙酮，盐酸，磷酸和聚乙二醇，去离子水，聚苯乙烯，管式炉，Ar (300 secm)和H2，PMMA，真空干燥箱，过硫酸铵，酒精，拉曼光谱仪 四． 实验步骤： （1）铜箔的抛光处理 实验中首先对铜箔进行表面机械抛光处理，使铜箔表面形成无划痕的镜面。用丙酮超声清洗机械抛光后的铜箔10 min，然后用25％盐酸超声清洗10min， 最后将清洗后的铜箔进行电化学精抛光，以85％磷酸和聚乙二醇(PEG)体积比为3：1的溶液为抛光液，电化学抛光电压范围为I～2 V，将铜箔放置于正极进行 抛光1800s。电化学抛光结束后将铜箔经丙酮超声清洗10 min，再用25％盐酸超声清洗10 min，最后用去离子水将铜箔冲洗干净，氮气吹干。 （2）石墨烯的生长