a-IGZ0的隙态产生的原因目前仍然是有争论的问题 CB 23-42meV 业 势垒高度 个 -0.1eV ee.-..- CB尾态(Eu~26meV) CBM 施主能级：0.1-0.13eV a-IGZO薄膜中的陷阱：0.2eV 可以被H钝化的陷阱：0.3eV ($e 深能级 (2×1016cm3/eV) -3.2eV 深隙态(C102cm3 1)氧空位 2)弱键氧 近价带顶隙态来 3)-OH 源于？ 4)H VB尾态 VBM VB Log(DOS)a-IGZO的隙态产生的原因目前仍然是有争论的问题 近价带顶隙态来 源于？