全国2004年7月高等教育自学考试 电子技术基础(二)试题 课程代码:02273 一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填 在题干的括号内。每小题1分,共10分) 1.在读电路图时,发现有的运放处于开环状态,那么此运放所在的本级电路可能是()。 A.基本运算电路 B信号放大电路 C.信号产生电路 D.电压比较器 2完全译码的译码矩阵是()。 A.固定的 B.只能一次编程的 C.可反复编程的 D.电可擦除的 3双积分AD转换器中,|U1|与|UREF|相比较,应使()。 A.|U1 B. U<I UREF I CI UI>I UREF I D. I UREF 1=0 4单稳态触发器一般用来()。 A.产生脉冲 B.定时,延时,整形 C.计数 D寄存 5用555构成的多谐振荡器的振荡频率可以是()。 A.10-6-10-2Hz B.0.1-300KHz C.109-1012Hz D.1012-1015Hz 6由三个反相器首尾相连组成的多谐振荡器的脉冲宽度为() A B 2tpd C tpe 7RC环形振荡器输出的脉冲周期为()。 ATIRC BT=2. 3RC CT=6RC DT=7RC 8TTL与CMOS输入电流相比较,关系为()。 A.前者大 B后者大 C.一样大 D CMOS输入电流反向 9半导体数码管每一段电流约为()。 A.几微安至十几微安 B.几毫安至十几毫安 C.几安培至十几安培D十几至几十安培 10.在都使用+5伏电源时,CMOS门和TTL门的Uo的关系是()。 A.前者大于后者 B.一样高 C.前者小于后者 D CMOS门UoH为0 、填空题(每空1分,共30分) 1要使三极管具有放大电流的作用,必须满足的外部条件是和 2.直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是和 浙02273#电子技术基础(二)试题第1页共3页浙 02273# 电子技术基础（二）试题 第 1 页 共 3 页 全国 2004 年 7 月高等教育自学考试 电子技术基础（二）试题 课程代码：02273 一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填 在题干的括号内。每小题 1 分，共 10 分) 1.在读电路图时，发现有的运放处于开环状态，那么此运放所在的本级电路可能是( )。 A.基本运算电路 B.信号放大电路 C.信号产生电路 D.电压比较器 2.完全译码的译码矩阵是( )。 A.固定的 B.只能一次编程的 C.可反复编程的 D.电可擦除的 3.双积分 A/D 转换器中，｜Ui｜与｜UREF｜相比较，应使( )。 A.｜Ui｜=｜UREF｜ B.｜Ui｜<｜UREF｜ C.｜Ui｜>｜UREF｜ D.｜UREF｜=0 4.单稳态触发器一般用来( )。 A.产生脉冲 B.定时，延时，整形 C.计数 D.寄存 5.用 555 构成的多谐振荡器的振荡频率可以是( )。 A.10-6—10-2Hz B.0.1—300KHz C.109—1012Hz D.1012—1015Hz 6.由三个反相器首尾相连组成的多谐振荡器的脉冲宽度为( )。 A.1tpd B.2tpd C.3tpd D.4tpd 7.RC 环形振荡器输出的脉冲周期为( )。 A.T=1RC B.T=2.3RC C.T=6RC D.T=7RC 8.TTL 与 CMOS 输入电流相比较，关系为( )。 A.前者大 B.后者大 C.一样大 D.CMOS 输入电流反向 9.半导体数码管每一段电流约为( )。 A.几微安至十几微安 B.几毫安至十几毫安 C.几安培至十几安培 D.十几至几十安培 10.在都使用+5 伏电源时，CMOS 门和 TTL 门的 UOH 的关系是( )。 A.前者大于后者 B.一样高 C.前者小于后者 D.CMOS 门 UOH 为 0 二、填空题(每空 1 分，共 30 分) 1.要使三极管具有放大电流的作用，必须满足的外部条件是______和______。 2.直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是______和______