结论 ◆掺杂会大大提高半导体中载流子浓度,使导电性 能大增。 ◆掺入五价杂质产生N型半导体(电子型半导体) 多子一电子、少子一空穴。 ◆掺入三价杂质产生P型半导体(空穴型半导体) 多子一空穴、少子一电子。 多子浓度近似等于杂质浓度, 少子浓度与温度密切相关。8 结 论 ◆掺杂会大大提高半导体中载流子浓度，使导电性 能大增。 ◆掺入五价杂质产生N型半导体（电子型半导体） 多子—电子、少子—空穴。 ◆掺入三价杂质产生P型半导体（空穴型半导体） 多子—空穴、少子—电子。 ◆多子浓度近似等于杂质浓度， 少子浓度与温度密切相关