N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 ip/mA Ip/mA 12 JDs=lOV 10 8 8 P Ups/V 张 孝 4N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 S G D ID ＋＋＋＋＋ B P N沟道 N＋ N＋ ED a b UDS/V ID/mA 2 1 3 －1 －2 12 0 2 4 6 8 10 12 2 4 6 8 10 14 UGS=0 ID/mA UGS/V c 0 2 4 6 8 10 1 2 3 4 UDS=10V IDSS －3 －2 －1 VP