输出低电平,VoVo,T1负载管截止,T2工作 管导通。Io从负载注入T2,输出电平随Io增加 而增加。 从Do(iDs2)和Vo(vDs2)曲线看出,T2的导通内阻 与(vGs2)有关。(vs2)越大,导通内阻越小。因 此,在相同的负载电流I下,VD越高(vs2越 大),导通时内阻越小,T2漏源之间压降越小, Vo越低。输出低电平，VO=VOL，T1负载管截止，T2工作 管导通。IOL从负载注入T2，输出电平随IOL增加 而增加。 从IOL(iDS2)和VOL(vDS2)曲线看出，T2的导通内阻 与(vGS2)有关。 (vGS2)越大，导通内阻越小。因 此，在相同的负载电流IOL下，VDD越高（vGS2越 大），导通时内阻越小，T2漏源之间压降越小， VOL越低