复旦大学：《集成电路工程》教学资源（硕士士学位论文）差分结构数字控制晶体振荡器设计

复旦大学：《集成电路工程》教学资源（硕士士学位论文）CMOS宽带可变增益低噪声放大器的设计

 了解什么是专用可测性技术（ad-hoc technique）  了解TM (Testability Measure)  掌握SCOAP可测性分析方法  理解一般的ad-hoc可测性方法  了解什么是C可测性

3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型

第一章 引言 第二章 片上电感的物理模型与特性分析 第三章 片上电感的优化设计 第四章 测试与分析 第五章 结论

本章从什么是触发器出发，介绍了常见触发器逻辑功能及其动作特点；介绍了时序逻辑电路的构成与分析方法；举例说明了时序逻辑电路设计的一般方法并重点介绍了寄存器、计数器电路的组成与原理，常见寄存器、计数器集成芯片；最后介绍了脉冲单元电路。读者应深入理解特征方程、状态图、时序图等时序逻辑电路分析与设计的基本概念，理解常见触发器逻辑功能、动作特点，掌握常见寄存器、计数器集成芯片的逻辑功能及其应用

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

上一章介绍了组合逻辑电路的分析与设计方法。随着微电子技术的发展,现在许多常 用的组合逻辑电路都有现成的集成模块,不需要我们用门电路设计。本章将介绍编码器 译码器、数据选择器、数值比较器、加法器等常用组合逻辑集成器件,重点分析这些器件 的逻辑功能、实现原理及应用方法

本章的重点： 1．时序逻辑电路在电路结构和逻辑功能上的特点，以及逻辑功能的描述方法； 2．同步时序逻辑电路的分析方法和设计方法； 3．常用的中规模集成时序逻辑电路器件的应用。 第一节 概述 第二节 同步时序电路的分析方法 第三节 若干常用时序逻辑电路 第四节 同步时序逻辑电路的设计方法