安装基片,基片用酒精清洗 打开右下处分子泵阀门,开启机械泵15分钟 机械泵声音逐渐变小后,开冷却水,开分子泵。大概1分钟左右有尖锐的蜂鸣声 声音从大变小 分子泵抽气至气压降至3E-3pa左右(大概1小时)。 开加热带和离子电源设置为3V,以赶走腔壁上附着的水蒸气。 加热大概1.5小时腔内气压约为19E-3pa 停止加热,等待冷却 气压降至21E-4pa 充氮气和氩气先开气罐的阀门,再开小阀门,调节流量氮气0.47氩气14。此时腔 内气压稳定在20E-1pa 关掉硅片气压计,打开 generator,调节 forward至50,开后面的通气阀门,腔内有离 子流发光 ●挡板挡住基片,清洗靶材。 调节 forward至200,微调电流源频率,使 reflect到20左右 保持20分钟 调节 generator功率至50,调高基片电压到250V,清洗基片。 清洗10分钟以上。 开始生长BN。基片电压改为150V, Generator调至200。 生长30分钟。记录生长结束时热电偶电压 按步骤关闭实验仪器,取出样品并测量。 [实验结果] h-BN 500chBN 800 00 1200 1600 1800 000 8二 1400 1800 350℃ h-BN 1000 1200 1600 1800 hBN 1200 400 1800 2000 ' avenumber cm-1⚫ 安装基片，基片用酒精清洗。 ⚫ 打开右下处分子泵阀门，开启机械泵 15 分钟。 ⚫ 机械泵声音逐渐变小后，开冷却水，开分子泵。大概 1 分钟左右有尖锐的蜂鸣声， 声音从大变小。 ⚫ 分子泵抽气至气压降至 3E-3pa 左右（大概 1 小时）。 ⚫ 开加热带和离子电源设置为 3V，以赶走腔壁上附着的水蒸气。 ⚫ 加热大概 1.5 小时 腔内气压约为 1.9E-3pa。 ⚫ 停止加热，等待冷却。 ⚫ 气压降至 2.1E-4pa。 ⚫ 充氮气和氩气 先开气罐的阀门，再开小阀门，调节流量氮气 0.47 氩气 14。此时腔 内气压稳定在 2.0E-1pa。 ⚫ 关掉硅片气压计，打开 generator,调节 forward 至 50，开后面的通气阀门，腔内有离 子流发光。 ⚫ 挡板挡住基片，清洗靶材。 ⚫ 调节 forward 至 200，微调电流源频率，使 reflect 到 20 左右。 ⚫ 保持 20 分钟 ⚫ 调节 generator 功率至 50，调高基片电压到 250V，清洗基片。 ⚫ 清洗 10 分钟以上。 ⚫ 开始生长 BN。基片电压改为 150V，Generator 调至 200。 ⚫ 生长 30 分钟。记录生长结束时热电偶电压。 ⚫ 按步骤关闭实验仪器，取出样品并测量。 [实验结果]