立方氮化硼薄膜的制备及其相关应用展望 指导老师:乐永康 复旦大学物理系:张宏伟,钱雅超,宁文正 [实验概述] 用自偏压辅助的射频磁控溅射在硅基片上生长氮化硼薄膜,用傅里叶变换红外光谱和俄 歇电子能谱测定薄膜中立方结构的含量以及氮硼的组分比。在其他条件不变的情况下,硏究 了衬底温度及氮气含量对制备立方氮化硼的影响。研究结果表明,基底温度是影响立方氮化 硼含量的重要参数。c-BN的含量并非单纯线性随衬底温度变化,在不同的N2含量下,立 方氮化硼生长有不同的最适生长的衬底温度,并且在最适生长衬底温度附近生长的c-BN应 较低。 cBN应用前景介绍] 1.宽光学带隙6.5eV,优良的热导率,具有良好的可掺杂性可掺杂为N型、P型半导体 高温下强的抗氧化性能(1300℃以下不易氧化)在高温电子器件领域有着广泛的应用前景 2.很高的硬度,具有一系列优越的物理、化学和机械性能,立方氮化硼不象金刚石那样与铁 镍黑金属有很强的亲和力,因此经C-BN薄膜强化的刀具可用于钢铁合金的加工 3.很好的透光性,本身高硬度,是光学元件良好的保护涂层 [实验步骤] 配溅 适 射械 板 电泵 偏压电立方氮化硼薄膜的制备及其相关应用展望 指导老师：乐永康 复旦大学物理系：张宏伟，钱雅超，宁文正 [实验概述] 用自偏压辅助的射频磁控溅射在硅基片上生长氮化硼薄膜,用傅里叶变换红外光谱和俄 歇电子能谱测定薄膜中立方结构的含量以及氮硼的组分比。在其他条件不变的情况下，研究 了衬底温度及氮气含量对制备立方氮化硼的影响。研究结果表明，基底温度是影响立方氮化 硼含量的重要参数。c-BN 的含量并非单纯线性随衬底温度变化，在不同的 N2 含量下，立 方氮化硼生长有不同的最适生长的衬底温度，并且在最适生长衬底温度附近生长的 c-BN 应 力较低。 [c-BN 应用前景介绍] 1．宽光学带隙 6. 5 eV ,优良的热导率，具有良好的可掺杂性可掺杂为 N 型、P 型半导体， 高温下强的抗氧化性能(1300 ℃以下不易氧化)在高温电子器件领域有着广泛的应用前景 2．很高的硬度,具有一系列优越的物理、化学和机械性能, 立方氮化硼不象金刚石那样与铁、 镍黑金属有很强的亲和力，因此经 C-BN 薄膜强化的刀具可用于钢铁合金的加工 3．很好的透光性, 本身高硬度,是光学元件良好的保护涂层。 [实验步骤] 氮 气 机 械 泵 氩 气 分 子 泵 档 板 偏 压 电 源 配 适 器 靶 材 溅 射 电 源 配 适 器 衬底