第三章 第3章MOS模拟集成电路的基本单元电路 31概述 发展一一在ⅤLS中占重要地位! 2.基本特点 FET与BJT对应关系 ig→ic 电极:→BEC 控制: GS 电路形式:CECB、C、差放、电流源、组合 CS、CG、CD、差放、电流源、组合 分析方法: 相同 硅栅CMos器件结构 场氧(场区) 栅氧(有源区) 金属引线 多晶硅栅 Si3N4 SiO2 N管源漏区 管源漏区1 第3章 MOS模拟集成电路的基本单元电路 3.1 概述 1. 发展――在VLSI中占重要地位！ 2. 基本特点 • FET与BJT对应关系 电极： B E C G S D G S D 控制： 电路形式： CE、CB、CC、差放、电流源、组合 CSCS、、CGCG、、CDCD、差放、电流源、组合 、差放、电流源、组合 B C i → i GS D v → i 分析方法： 相同相同 第三章 硅栅CMOS器件结构 P管 源漏区 N＋ N＋ P＋ P＋ N - Si P-阱 Si3N4 SiO2 金属引线 N管 源漏区 多晶硅栅 场氧（场区） 栅氧（有源区）