第三章3.1概述 MOSIO在数字IC中应用最多! FET的特殊性 其次:中、大规模的模拟电路; 数模混合电路。 N、P沟,耗尽型、增强型 特性曲线中偏压极性不同 优点:(〕片面积小;〖=0,认为(极开路 (2)功耗低 (3)易于集成; 衬底调制效应 (4)温度特性好; ·缺点:(1)跨导g低,增益低; (2)极间电容大,速度频率受限; (3)失调电压高; (4)低频噪声大(热噪声,l/噪声) 32 MOSIO的单级放大电路 321 MOSFETI的模型 1.简化直流模型 l=0L本征导电因子 K ID D ①A 2.交流小信号模型 22 FET的特殊性 • 缺点: (1) 跨导gm低，增益低; (2) 极间电容大，速度频率受限； (3) 失调电压高； (4) 低频噪声大（热噪声，1/f噪声） N、P沟，耗尽型、增强型 特性曲线中偏压极性不同 • 优点: (1) 芯片面积小； iG = 0 ， 认为G极开路 (2) 功耗低; (3) 易于集成； (4) 温度特性好； MOSIC在数字IC中应用最多！ 其次：中、大规模的模拟电路； 数模混合电路。 MOSIC在数字IC中应用最多！ 其次：中、大规模的模拟电路； 数模混合电路。 衬底调制效应 第三章-3.1 概述 3.2.1 MOSFET的模型 1. 简化直流模型 3.2 MOSIC的单级放大电路 I 0 G = ( ) ( )2 GS GS th p D V V L W 2 K I ≈ ⋅ − 2. 交流小信号模型 G D S Vgs ( ) ( )2 GS GS th p V V L W 2 K ⋅ − ID 第三章 Kp=µnCox 本征导电因子