En (1)、发射区向基区注入载流子的过程： 发射结正偏后，形成的正向扩散电流，是由发射区和基 区得多子通过PN结而形成。 即IBn+IEp 方向由P区指向N☒ 式中Im为电子电流：Ip为空穴电流。 （1）、发射区向基区注入载流子的过程： 发射结正偏后，形成的正向扩散电流，是由发射区和基 区得多子通过PN结而形成。 即 IEn + IEp 方向由P区指向N区 式中 IEn 为电子电流；IEp 为空穴电流。 E C B N P N IEp IEn R2 V V2 1 R1 ICp ICn2 ICn1 IC IB IE ICBO