第二章 晶体三极管 第二章前言 第一节放大模式下晶体三极管的工作原理 第二节晶体三极管的其它工作模式 第三节埃伯尔斯-莫尔模型 第四节晶体三极管的伏安特性曲线 第五节晶体三极管的小信号电路模型 第六节晶体三极管电路分析法 第七节晶体三极管应用原理
第二章 晶体三极管 第二章 前言 第一节 放大模式下晶体三极管的工作原理 第二节 晶体三极管的其它工作模式 第三节 埃伯尔斯-莫尔模型 第四节 晶体三极管的伏安特性曲线 第五节 晶体三极管的小信号电路模型 第六节 晶体三极管电路分析法 第七节 晶体三极管应用原理
第二章 晶体三极管 前言 晶体三极管是一种具有正向受控作用的 半导体器件，它的内部有两个背靠背排列的 PN结（不能用两个二极管对接而成）。按结构 划分，三极管有NPN型与PNP型两种。 NPN型管与PNP型管工作原理相似，但 由于它们形成电流的载流子性质不同，结果 导致各极电流方向相反，加在各极上的电压 极性相反
第二章 晶体三极管 前言 晶体三极管是一种具有正向受控作用的 半导体器件，它的内部有两个背靠背排列的 PN结(不能用两个二极管对接而成)。按结构 划分，三极管有NPN型与PNP型两种。 NPN型管与PNP型管工作原理相似，但 由于它们形成电流的载流子性质不同，结果 导致各极电流方向相反，加在各极上的电压 极性相反
2.1教学要求 1、掌握晶体三极管放大模式下的电流分配关系 式 2、熟悉三极管放大、饱和、截止三种模式的工 作条件及性能特点 3、熟悉三极管的数学模型、直流简化电路模型， 共E电路曲线模型及小信号电路模型，掌握各 种模型的特点及应用场合 4、熟悉三极管放大电路的三种分析方法：估算 法；图解法及小信号等效电路法。能熟练利用 估算法判断三极管的工作模式 5、本章2.3节、2.7、2.8根据教学需要，可作为 扩展内容
2.1 教学要求 1、掌握晶体三极管放大模式下的电流分配关系 式 2、熟悉三极管放大、饱和、截止三种模式的工 作条件及性能特点 3、熟悉三极管的数学模型、直流简化电路模型， 共E电路曲线模型及小信号电路模型，掌握各 种模型的特点及应用场合 4、熟悉三极管放大电路的三种分析方法：估算 法；图解法及小信号等效电路法。能熟练利用 估算法判断三极管的工作模式 5、本章2.3节、2.7、2.8根据教学需要，可作为 扩展内容
2.2基本内容 晶体三极管的内部结构特点： (1)发射区高掺加 (2)基区很薄 (3)集电结面积大 2.2.1放大模式下电流分配基本关系式 2.2.2三极管的通用模型-伏安特性曲线
2.2 基本内容 晶体三极管的内部结构特点: (1)发射区高掺加 (2)基区很薄 (3)集电结面积大 2.2.1 放大模式下电流分配基本关系式 2.2.2 三极管的通用模型-伏安特性曲线
2.2.3三极管的简化模型 1、放大模式下三极管的模型 (1)数学模型（指数模型） (2)直流简化电路模型 (3)交流小信号电路模型 2、饱和与截止模式下三极管的模型
2.2.3 三极管的简化模型 1、放大模式下三极管的模型 (1)数学模型（指数模型） (2)直流简化电路模型 (3)交流小信号电路模型 2、饱和与截止模式下三极管的模型
2.2.4三极管电路分析方法 先进行直流分析，后进行交流分析 1、直流分析方法一分析IBQ ICQ VCEQ 可采用图解法或估算法 2、交流分析方法一分析A、R、R 可采用图解法与小信号等效电路方法 2.2.5放大器的构成 电路都是以三端器件（三极管、场效应管〉 为核心，再配以合适的管外电路而组成
2.2.4 三极管电路分析方法 先进行直流分析，后进行交流分析 1、直流分析方法——分析IBQ、ICQ、VCEQ 可采用图解法或估算法 2、交流分析方法——分析Av、Ri、R0 可采用图解法与小信号等效电路方法 2.2.5 放大器的构成 电路都是以三端器件（三极管、场效应管） 为核心，再配以合适的管外电路而组成
第一节放大模式下晶体三极管的工作原理 1、结构： 它的基本组成部分，是两个靠得很紧，而且是背对背的PN结。 结构示意图(a) 结构示意图(b)
1、结构： 它的基本组成部分，是两个靠得很紧，而且是背对背的PN结。 结构示意图（a） E C B N P N 结构示意图（b） E C B P N P 第一节 放大模式下晶体三极管的工作原理
根据杂质半导体的排列方式不同，晶体三极管有两种 不同的类型，并且只有两种类型。 即 NPN型与PNP型 NPN型电路符号 PNP型电路符号 B
根据杂质半导体的排列方式不同，晶体三极管有两种 不同的类型，并且只有两种类型。 即 NPN型与 PNP型 NPN型电路符号 E B C E C B PNP型电路符号
发射区 基区 集电区 发射极 N 集电极 Q 集电结 发射结 CB结 EB结 基极
E C B N P N 集电结 发射结 CB结 EB结 集电极 基极 发射极 集电区 发射区 基区
2、晶体三极管的主要特性： 晶体三极管的主要特性与它的工作状态有关： (1)、放大状态：定义为发射结外加正偏电压，集电结外 加反偏电压。这种作用是实现放大器的基础。 (2)、饱和状态：定义为发射结外加正偏电压，集电结外 加正偏电压。 (3)、截止状态：定义为发射结外加反偏电压，集电结外 加反偏电压。 这两种模式呈现受控开关特性，实现开关电路的基础
晶体三极管的主要特性与它的工作状态有关： （1）、放大状态：定义为发射结外加正偏电压，集电结外 加反偏电压。这种作用是实现放大器的基础。 （2）、饱和状态：定义为发射结外加正偏电压，集电结外 加正偏电压。 （3）、截止状态：定义为发射结外加反偏电压，集电结外 加反偏电压。 这两种模式呈现受控开关特性，实现开关电路的基础。 2、晶体三极管的主要特性：