VGs对iD的控制作用 当vGs由零向负值增大时，在反偏电压VGs作用下，两个PN结的耗 尽层将加宽，使导电沟道变窄，沟道电阻增大。当vGs增大到某 一 定值V,两侧耗尽层将在中间合拢，沟道全部被夹断，此时 漏源极间的电阻将趋于无穷大，相应的栅源电压称为夹断电压 Vpo 改变vcs的大小，可以有效地控 制沟道电阻的大小。若在漏源 极间加上固定的正向电压'Ds, 则由漏极流向源极的电流D将 受vcs的控制。 55 v GS 对i D的控制作用 v 当v GS由零向负值增大时，在反偏电压v GS作用下，两个PN结的耗 尽层将加宽，使导电沟道变窄，沟道电阻增大。当v GS增大到某 一定值|VF |，两侧耗尽层将在中间合拢，沟道全部被夹断，此时 漏源极间的电阻将趋于无穷大，相应的栅源电压称为夹断电压 V P。 v 改变v GS的大小，可以有效地控 制沟道电阻的大小。若在漏源 极间加上固定的正向电压v DS ， 则由漏极流向源极的电流i D将 受v GS的控制