VDs对iD的影响 当vps0时，iD0。 随着vs逐渐增加，一方面沟道电场强度加大，有利于漏极电流o 增加；但有了vs,就在由源极经沟道到漏极组成的N型半导体区 域中，产生了一个沿沟道的电位梯度。沟道区的电位差则从靠源 端的零电位逐渐升高到靠近漏端的vps。 在从源端到漏端的不同位置上，栅极与沟道之间的电位差是不相 等的，离源极愈远，电位差愈大，加到该处P结的反向电压也 愈大，耗尽层也愈向中心扩展，使靠近漏极处的导电沟道比靠近 源极要窄。所以增加vps,又产生了阻碍漏极电流o提高的因素。 在'较小时，导电沟道靠近漏端区域仍较宽，这时阻碍的因素 是次要的，故p随yp升高成正比地增大。 66 v DS 对i D的影响 v 当v DS=0时，i D=0。 v 随着v DS逐渐增加，一方面沟道电场强度加大，有利于漏极电流i D 增加；但有了v DS ，就在由源极经沟道到漏极组成的N型半导体区 域中，产生了一个沿沟道的电位梯度。沟道区的电位差则从靠源 端的零电位逐渐升高到靠近漏端的v DS 。 v 在从源端到漏端的不同位置上，栅极与沟道之间的电位差是不相 等的，离源极愈远，电位差愈大，加到该处PN结的反向电压也 愈大，耗尽层也愈向中心扩展，使靠近漏极处的导电沟道比靠近 源极要窄。所以增加v DS ，又产生了阻碍漏极电流i D提高的因素。 v 在v DS较小时，导电沟道靠近漏端区域仍较宽，这时阻碍的因素 是次要的，故i D随v DS升高成正比地增大