VDs对iD的影响 p=0 和迅速增大 当vDs继续增加，使 漏栅间的电位差加 大，靠近漏端电位差 最大，耗尽层也最宽。 耗尽层 当两耗尽层在A点相 遇时，称为预夹断， A点耗尽层两边的电 (a） ( 位差用夹断电压'来 i心趋于饱和 也饱和 描述。 (c】 (d)7 v DS 对i D的影响 v 当v DS继续增加，使 漏栅间的电位差加 大，靠近漏端电位差 最大，耗尽层也最宽。 v 当两耗尽层在A点相 遇时，称为预夹断， A点耗尽层两边的电 位差用夹断电压V P来 描述。 GD GS  DS  V P  v = v - v =