三、非制冷红外探测器 986 1.概述 A、热释电红外探测器 1938年，提出热释电晶体可用作红外探测器 ◆1987年，美国陆军夜视实验室和国防高级技术规划局(DARPA)发起了 高密度阵列发展(HIDAD)计划，进而在1990年对交付的第一个摄像阵 列进行评估。 1992年：焦平面阵列满足了所希望的0.30℃指标，其NETD为0.08 ℃，245×328像元的阵列(Hansen等人)。器件工作在BST热释电 材料的相变点附近，使用机械扫描斩波器进行场差处理。 ◆高质量的热释电材料：无法与CMOS单片集成 电子科技大学敏感材料与传感器课程组 制作 33 三、非制冷红外探测器 1. 概述 A、热释电红外探测器 u 1938年，提出热释电晶体可用作红外探测器 u 1987 年，美国陆军夜视实验室和国防高级技术规划局（DARPA）发起了 高密度阵列发展 (HIDAD)计划，进而在 1990年对交付的第一个摄像阵 列进行评估。 u 1992年：焦平面阵列满足了所希望的 0.30 ℃ 指标，其NETD 为 0.08 ℃, 245×328像元的阵列（ Hansen 等人）。器件工作在 BST 热释电 材料的相变点附近，使用机械扫描斩波器进行场差处理。 u 高质量的热释电材料：无法与CMOS单片集成