三、非制冷红外探测器 986 1.概述 B、热敏电阻型红外探测器 ◆随着80年代微加工技术的日益发展，热绝缘微结构的制作成为可能；高电 阻温度系数材料（如：a-Si、氧化钒(VOx))为高灵敏提供了可能。 ◆霍尼韦尔采用的途径使用了二维V0x电阻阵列，温度每变化1℃，其电阻 率变化约为2%。 ◆VOx淀积在SgN4桥上，而桥受到读出电路(ROIC)上制作的细臂支撑。这 种结构保证了与R0IC热绝缘，是一种极有效的单元结构设计。 ◆1991年，霍尼韦尔发布了像元间距为50μm.NETD为0.1℃的红外焦平 面阵列探测器 电子科技大学敏感材料与传感器课程组 制作三、非制冷红外探测器 1. 概述 B、热敏电阻型红外探测器 u随着80年代微加工技术的日益发展，热绝缘微结构的制作成为可能；高电 阻温度系数材料（如：a-Si、氧化钒( VOx)）为高灵敏提供了可能。 u霍尼韦尔采用的途径使用了二维 VOx 电阻阵列,温度每变化 1 ℃,其电阻 率变化约为 2％。 uVOx淀积在 S3N4 桥上，而桥受到读出电路( ROIC)上制作的细臂支撑。这 种结构保证了与ROIC热绝缘，是一种极有效的单元结构设计。 u1991年，霍尼韦尔发布了像元间距为 50μm . NETD为 0.1 ℃的红外焦平 面阵列探测器