Ts、I6是门控管,由X线控制其导通或截止,他们用来控制触发器输出端与位线之 间的连接状态。T、T8也是门控管,其导通与截止受Y线控制,他们是用来控制位线与 数据线之间连接状态的,工作情况与Ts、T6类似。但并不是每个存储单元都需要这两只 管子,而是一列存储单元用两只(见图71-3)。所以,只有当存储单元所在的行、列对 应的X、Y线均为1时,该单元才与数据线接通,才能对它进行读或写,这种情况称为 选中状态 存储单元 位线B 数据线 图71-6六管NMOS静态存储单元 2.双极型晶体管存储单元 图7.1-8是一个双极型晶体管存储单元电路,它用两只多发射极三极管和两只电阻 构成一个触发器,一对发射极接在同一条字线上,另一对发射极分别接在位线B和B上 在维持状态,字线电位约为03V,低于位线电位(约1.1V),因此存储单元中导通 管的电流由字线流出,而与位线连接的两个发射结处于反偏状态,相当于位线与存储器 断开。处于维持状态的存储单元可以是T导通、T2截止(称为0状态),也可以是T2 导通、T1截止(称为1状态)。 当单元被选中时,字线电位被提高到22V左右,位线的电位低于字线,于是导通管 的电流转而从位线流出。 如果要读出,只要检测其中一条位线有无电流即可。例如可以检测位线B,若存储 单元为1状态,则T2导通,电流由B线流出,经过读出放大器转换为电压信号,输出为 1:若存储单元为0状态,则T截止,B线中无电流,读出放大器无输入信号,输出为6 T5、T6 是门控管，由 Xi 线控制其导通或截止，他们用来控制触发器输出端与位线之 间的连接状态。T7、T8 也是门控管，其导通与截止受 Yi 线控制，他们是用来控制位线与 数据线之间连接状态的，工作情况与 T5、T6 类似。但并不是每个存储单元都需要这两只 管子，而是一列存储单元用两只（见图 7.1－3）。所以，只有当存储单元所在的行、列对 应的 Xi、Yi 线均为 1 时，该单元才与数据线接通，才能对它进行读或写，这种情况称为 选中状态。 T T T T T T T T X Y 存储单元 位 线 B 位 线 B D D 数据线 V V 1 2 3 4 5 6 8 7 D D G i j 图 7.1－6 六管 NMOS 静态存储单元 2． 双极型晶体管存储单元 图 7.1－8 是一个双极型晶体管存储单元电路，它用两只多发射极三极管和两只电阻 构成一个触发器，一对发射极接在同一条字线上，另一对发射极分别接在位线 B 和 B 上。 在维持状态，字线电位约为 0.3V，低于位线电位（约 1.1V），因此存储单元中导通 管的电流由字线流出，而与位线连接的两个发射结处于反偏状态，相当于位线与存储器 断开。处于维持状态的存储单元可以是 T1 导通、T2 截止（称为 0 状态），也可以是 T2 导通、T1 截止（称为 1 状态）。 当单元被选中时，字线电位被提高到 2.2V 左右，位线的电位低于字线，于是导通管 的电流转而从位线流出。 如果要读出，只要检测其中一条位线有无电流即可。例如可以检测位线 B ，若存储 单元为 1 状态，则 T2 导通，电流由 B 线流出，经过读出放大器转换为电压信号，输出为 1；若存储单元为 0 状态，则 T2 截止， B 线中无电流，读出放大器无输入信号，输出为 0