答案:BdS=0 12A-5.全电路安培环路定理(律)表达式为 并说明表 达式中各量的物理意义 答:B·d7=J(+a)dS其中厅为磁场强度,了为位移电流密度,D为电位移矢 12A-6一平行板电容器的两板都是半径为5.0cm圆导体片,在充电时,其中电场强度的变化 率为dE/dt=1.0×102V/m.s。求极板边缘的磁感应强度B。 解:H,d=f5D 取半径为r的圆周为安培环路,则H的环路积分为 H·d=2mH 而乐 0E0 B 将r=0.05m代入上式得B=28×10-7T。所以尽管dE/d很大,但变化电场激发产生的磁 场仍很小。 12A-7一平行板电容器,极板是半径为R的圆形金属板,两极板 与一交变电源相连接,极板上电量变化规律为q= go sin at.。不计 在4 边缘效应。 (1)求两极板间位移电流密度的大小 (2)求在两极板间离中心轴线距离为(r<R)处磁场强度H的大 小。 解:(1)两极板间的位移电流 dt yoc J≈l_9 COSt (2)根据全电流定律 fd=乐a 由于 D=0=O/R) 所以 2nrH=go@Tr COS@/TR) H= goor cos@/(2TR)27 答案： d  0   S B S   12A-5. 全电路安培环路定理（律）表达式为________________________________.并说明表 达式中各量的物理意义_______________________________________。 答：         L S S t D H l J      d ( ) d 其中 H  为磁场强度，J  为位移电流密度， D  为电位移矢 量。 12A-6 一平行板电容器的两板都是半径为 5.0cm 圆导体片，在充电时，其中电场强度的变化 率为 12 dE / dt 1.010 V/m.s。求极板边缘的磁感应强度 B 。 解：        S dS t D H dl     取半径为 r 的圆周为安培环路，则 H 的环路积分为  H  dl  2rH   而 2 0 0 r dt dE dS dt dE dS t D S s             r dt dE H 2 0    ， r dt dE B 2 0 0     将 r=0.05m 代入上式得 7 2.8 10 B   T。所以尽管 dE/ dt 很大，但变化电场激发产生的磁 场仍很小。 12A-7 一平行板电容器，极板是半径为 R 的圆形金属板，两极板 与一交变电源相连接，极板上电量变化规律为 q q sint  0 。不计 边缘效应。 （1）求两极板间位移电流密度的大小； （2）求在两极板间离中心轴线距离为 r(r<R)处磁场强度 H  的大 小。 解：(1) 两极板间的位移电流 q t dt dQ I d   0 cos   S I j d D 2 0 cos R q t    (2)根据全电流定律        S dS t D H dl     由于 /( ) 2 D    Q R 所以 2 cos /( ) 2 2 rH  q0r  R cos /(2 ) 2 H  q0r  R