、半导体三极管: 工作压降:硅管 1.三极管的输入特性 kp≈0.6-07V,锗 管UBE≈0.2~0.3V。 IB(μA) 80 60 Ucg≥lV 40 死区电 压,硅管20 0.5V,锗 UREOV 管0V 0.40.8 图2.2.61.三极管的输入特性 工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗 管UBE0.2~0.3V。 二、半导体三极管： IB (A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE1V 死区电 压，硅管 0.5V，锗 管0.1V。 图2.2.6