反向恢复时间:t。=ts十t 产生反向恢复过程的原因 反向恢复时间t就是存储电荷消散所需要的时间。 P区耗尽层N区 oooooo oo。o P区中电子 N区中空穴 浓度分布 浓度分布 (b) L 图2.2.5加正向电压时二极管存储电荷的分布 同理,二极管从截止转为正向导通也需要时间,这段时间称为开通 时间。开通时间比反向恢复时间要小得多,一般可以忽略不计。反向恢复时间：tre ＝ts十tt 产生反向恢复过程的原因： 反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。 + － P 区 耗尽层 N 区 Ln Lp 区中电子 区中空穴 浓度分布 浓度分布 P N (a) (b) x 图2.2.5 加正向电压时二极管存储电荷的分布 同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段时间称为开通 时间。开通时间比反向恢复时间要小得多，一般可以忽略不计