IC封装设计 IC封装发展趋势： 3D interconnect Technology Roadmap MCP Vis:>20 um 2“3 D TSV Stack' 4 芯片封装发展四阶段： t=5约mAND Era 3D Logic-SiP" 第一阶段，20世纪80年代前，以插装型为主： DRAM Era 第二阶段，20世纪80年代后，以表面安装类型的四边引线封装为主： Embeded memory 52』 第三阶段，20世纪90年代后，以面阵列封装形式为主： 0000007 POP 5 第四阶段，21世纪，3D封装为主。 3D SIP Ultimate 3D IC "3D-WLP" Era MEMS Logic RF-SiP WLP RF.SiP 3D RF.SiP Analog DRAM Psse Passive First Second E WLP MEMS Mas<1um revolution revolution Haks 100K ME日MS 3D CIs Vies=10-30 um 1e20m Through hole to Peripheral lead type to Hoesc10 nenn t<50m surface mount ball array surface (DIP to QFP,SOP) mount type CIS WL-CSP CIS TSVCIS 3 3D Fusion' (QFP to BGA) 9000s7 Era FCBGA What's Next!! F台GA 20052006 2007 2008 2009 2010 2011 20122013 2014 Three-dimensional (CSP) mounting? Optical interconnection? OF P PBGA ●Something else7 趋势：高集成度，高速，低 DIP 功耗，小型化。 LSI VLSI Transistor 1970 1980 1990 2000 2010www.chinafastprint.com IC封装发展趋势： IC封装设计 趋势：高集成度，高速，低 功耗，小型化。 芯片封装发展四阶段： 第一阶段，20世纪80年代前，以插装型为主； 第二阶段，20世纪80年代后，以表面安装类型的四边引线封装为主； 第三阶段，20世纪90年代后，以面阵列封装形式为主； 第四阶段，21世纪，3D封装为主