加上正电压MOS电容的能带 耗尽层 反型层耗尽层 E E E E (a栅压U较小时,MOS电容器处于耗尽状态。 (b)栅压U增大到开启电压Ut时,半导体表面的费米能级 高于禁带中央能极,半导体表面上的电子层称为反型层。 上一页 下一页加上正电压MOS电容的能带 (a)栅压UG较小时，MOS电容器处于耗尽状态。 (b)栅压UG增大到开启电压Uth时 ,半导体表面的费米能级 高于禁带中央能极, 半导体表面上的电子层称为反型层。 返 回 上一页 下一页