平带条件下的能带 氧化物 半导体 E导带底能量 E E禁带中央能级 金属 E 电子能量 E费米能级 E E价带顶能量 平带条件 当MOS电容的极板上无外加电压时,在理想情况下,半导体从 体内到表面处是电中性的,因而能带(代表电子的能量)从表面到 内部是平的。 上一页 下一页平带条件下的能带 Ec导带底能量 Ei禁带中央能级 Ef费米能级 Ev价带顶能量 平带条件： 当MOS电容的极板上无外加电压时，在理想情况下，半导体从 体内到表面处是电中性的，因而能带(代表电子的能量)从表面到 内部是平的。 返 回 上一页 下一页