对晶体管而言,应选用()和噪声系数N 小的管子(可由手册查得,但N必须是高频工作时 的数值)。除采用晶体管外,目前还广泛采用场效应管 做放大器和混频器,因为场效应管的噪声电平低,地其 山是最近发展起来的砷化镓金属半导体场效应管 ( MESFET),它的噪声系数可低到0.5~ldB 在电路中,还必须谨慎地选用其他前引起噪声的电 路元件,其中最主要的是电阻元件。直选用结构精细的 金属膜电阻。 8.3.3小的管子（可由手册查得，但 NF 必须是高频工作时 的数值）。除采用晶体管外，目前还广泛采用场效应管 做放大器和混频器，因为场效应管的噪声电平低，尤其 是最近发展起来的砷化镓金属半导体场效应管 （MESFET），它的噪声系数可低到0.5～ldB。 8.3.3 b r （ bb r 对晶体管而言，应选用  ）和噪声系数 NF 在电路中，还必须谨慎地选用其他能引起噪声的电 路元件，其中最主要的是电阻元件。宜选用结构精细的 金属膜电阻