2.工作原理 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控 制,来改变导电沟道的宽窄,从而控制漏极 电流的大小。而 MOSFET则是利用栅源电压 的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少, 从而控制漏极电流的大小 1010 2．工作原理 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控 制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极 电流的大小。而MOSFET则是利用栅源电压 的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少， 从而控制漏极电流的大小