S CTGU Fundamental of Electronic Technology 5场效应管放大电路
1 CTGU Fundamental of Electronic Technology
内容 51金属氧化物半导体MOS场效应管 52 MOSFET放大电路 53结型场效应管JFET 254砷化镓金属半导体场效应管 55各种放大器件电路性能比较
2 5.3 结型场效应管(JFET) 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管
要求 口掌握场效应管的直流偏置电路及分析; 口场效应管放大器的微变等效电路分析 法
3 ❑ 掌握场效应管的直流偏置电路及分析； ❑ 场效应管放大器的微变等效电路分析 法
场效应管分类: N沟道 JFET (耗尽型) 结型 P沟道 FET N沟道 场效应管 增强型 MOSFET P沟道 (GFET) 绝缘栅型(耗尽型 N沟道 P沟道
4 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类：
51金属一氧化物一半导体 (M0S)场效应管 M0SFET简称M0s管,它有N沟道和P沟道之分 其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种。 耗尽型:当vcs=0时,存在导电沟道,in0。 增强型:当vcs=0时,没有导电沟道,ip=0
5 5.1 金属－氧化物－半导体 （MOS）场效应管 MOSFET简称MOS管，它有N沟道和P沟道之分， 其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种。 耗尽型：当vGS＝0时，存在导电沟道，iD0。 增强型：当vGS＝0时，没有导电沟道，iD＝0
5.L.1N沟道增强烈 MOSFET 1.结构 S G D 金属铝 两个N区 N P型基底|SiO2绝缘层 导电沟道 N沟道增强型
6 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1．结构 P N N S G D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型
S G D 予埋了导 电沟道 N沟道耗尽型
7 N 沟道耗尽型 P N N S G D 予埋了导 电沟道 G S D
G P P S P沟道增强型
8 N P P S G D G S D P 沟道增强型
D P P 予埋了导 电沟道 P沟道耗尽型
9 P 沟道耗尽型 N P P S G D G S D 予埋了导 电沟道
2.工作原理 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控 制,来改变导电沟道的宽窄,从而控制漏极 电流的大小。而 MOSFET则是利用栅源电压 的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少, 从而控制漏极电流的大小 10
10 2．工作原理 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控 制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极 电流的大小。而MOSFET则是利用栅源电压 的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少， 从而控制漏极电流的大小