当晶体物质受到电离辐射照射时便产生电离和激发效应，这时满带或激活能级中的电子受激而进 人导带，同时产生了一个空穴。由于低能态比高能态稳定，所以进人导带的电子很快会回到导带 下部的电子陷阱中；而满带中的空穴也会移到激活能级。于是，分别形成了称为F(激活能级)和 H(电子陷阱)的发光中心。 一在常温条件下，进入发光中心的电子能稳定的长期储存于陷阱中，照射量越大，贮存在陷阱中的 电子越多。 。当我们需要检测个人剂量剂所反应的照射剂量时，通过对晶体加热到某一温度时，「发光中心的电 子获得能量后进人导带，最终与H发光中心的空穴复合，在复合过程中发射出的光称为热释光。 热释光的总光子数与发光中心释放出的总电子数成正比，即正比于贮存的电离辐射能量。 。所以测定特定温度范围内晶体物质释放出的总发光量，可确定晶体受到的辐射吸收剂量。晶体发 光强度与加热昆度之间的相关曲线称为发光曲线。加热速率越快，光峰越窄，高度也越高。对于 给定辐射吸收剂量，发光总额恒定，通常选择出现高大峰的最佳温度条件进行热释光测定。  当晶体物质受到电离辐射照射时便产生电离和激发效应，这时满带或激活能级中的电子受激而进 人导带，同时产生了一个空穴。由于低能态比高能态稳定，所以进人导带的电子很快会回到导带 下部的电子陷阱中；而满带中的空穴也会移到激活能级。于是，分别形成了称为F（激活能级）和 H（电子陷阱）的发光中心。  在常温条件下，进入发光中心的电子能稳定的长期储存于陷阱中，照射量越大，贮存在陷阱中的 电子越多。  当我们需要检测个人剂量剂所反应的照射剂量时，通过对晶体加热到某一温度时，F发光中心的电 子获得能量后进人导带，最终与H发光中心的空穴复合，在复合过程中发射出的光称为热释光。 热释光的总光子数与发光中心释放出的总电子数成正比，即正比于贮存的电离辐射能量。  所以测定特定温度范围内晶体物质释放出的总发光量，可确定晶体受到的辐射吸收剂量。晶体发 光强度与加热昆度之间的相关曲线称为发光曲线。加热速率越快，光峰越窄，高度也越高。对于 给定辐射吸收剂量，发光总额恒定，通常选择出现高大峰的最佳温度条件进行热释光测定