电子陷阱：晶体物质中常含有作为杂质的原子或离子，这些杂质原子或离子的缺位或结构上错位导致了 晶体结构上的缺陷。这些缺陷破坏了晶体物质的电中性，形成了局部的荷电中心。荷电中心能吸引域束 缚异性核电荷离子，这意味着在禁带存在一些孤立的局部能级。在靠近导带下部的局部能级能吸附电子， 称为电子陷阱， 一激发能级：在靠近满带上部的局部能级能吸附空穴，称为激发能级。在未受外界因素作用时，激发能级 是占满电子的，而陷阱中是没有电子的。 兰晶痊物晒受鬼离辐卵罩褽便产生忠离和邀发效应这时满黄惑激活熊级的害子受激洪人导带 满中色氨是分线 手带的电子很会回到导下的角子 中心：常湿条件下 进入发光中心的电子能稳定的账盟储存玉陷哄史，照射量越大，贮存在陷阱中的 条入暖 电子越多。 我们以对是到煤二 即正比王贮存的电窗塾能属：所以测店 金鑫的装翼警涛蜜聚口 兔鸭，天 北线。加热速率越快 常铁约预蒿天隆朦点膜拳件特屋 电子陷阱：晶体物质中常含有作为杂质的原子或离子，这些杂质原子或离子的缺位或结构上错位导致了 晶体结构上的缺陷。这些缺陷破坏了晶体物质的电中性，形成了局部的荷电中心。荷电中心能吸引或束 缚异性核电荷离子，这意味着在禁带存在一些孤立的局部能级。在靠近导带下部的局部能级能吸附电子， 称为电子陷阱，  激发能级：在靠近满带上部的局部能级能吸附空穴，称为激发能级。在未受外界因素作用时，激发能级 是占满电子的，而陷阱中是没有电子的。  当晶体物质受到电离辐射照射时便产生电离和激发效应，这时满带或激活能级中的电子受激而进人导带， 同时产生了一个空穴。由于低能态比高能态稳定，所以进人导带的电子很快会回到导带下部的电子陷阱 中；而满带中的空穴也会移到激活能级。于是，分别形成了称为F（激活能级）和H（电子陷阱）的发光 中心。在常温条件下，进入发光中心的电子能稳定的长期储存于陷阱中，照射量越大，贮存在陷阱中的 电子越多。当我们需要检测个人剂量剂所反应的照射剂量时，我们可以对晶体加热到某一温度时，F发 光中心的电子获得能量后进人导带，最终与H发光中心的空穴复合，在复合过程中发射出的光称为热释 光。热释光的总光子数与发光中心释放出的总电子数成正比，即正比于贮存的电离辐射能量。所以测定 特定温度范围内晶体物质释放出的总发光量，可确定晶体受到的辐射吸收剂量。晶体发光强度与加热昆 度之间的相关曲线称为发光曲线。加热速率越快，光峰越窄，高度也越高。对于给定辐射吸收剂量，发 光总额恒定，通常选择出现高大峰的最佳温度条件进行热释光测定