R2 T Rb R A.-BX[(RclIRL)/(rbe+Re)]B.-B [(RelIRL)/rbe]C.-BX[(RclIRL)/()] 12、设图所示的的放大电路处于正常放大状老，各电容都足够大。则该电路的输入电阻为 A.Ri=Rell [rbe+(Rbl+Rb2)] B.RizRelltbe C.Ri=Rell ([rbe+(Rbl+Rb2)]/(1+B)}D.Ri=Rell[rbe/(1+B)] 13、一个放大电路的中频电压放大倍数Av-10,L=50,f1002,由图中V1的波形分别画出 对应的Vo波形。 14、电路如图所示（用(a)增大，(b)减小，()不变或基本不变填空） ①若将电路中Ce由100μF,改为10uE,则|Avm将一，L将 一，H将 一，中须相移 将 ②若将一个68OOpF的电容错焊到管子b,c两极之间，则IAvm将fL将一，fH将 ③若换一个fT较低的品体管，则Avm将 fL将 Vi 15、一个放大电路的对数幅须特性如图所示.由图可知，中频放大倍数A一，fL为一H ,当信号频率为fL或fH时，实际的电压增益为」 A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)] B.-β[(Rc||RL)/rbe] C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)] 12、设图所示的的放大电路处于正常放大状态，各电容都足够大。则该电路的输入电阻为_。 A. Ri=Re||[rbe+(Rb1+ Rb2)] B. Ri=Re||rbe C. Ri=Re||{[rbe+(Rb1+ Rb2)] /(1+β)} D.Ri=Re||[rbe/(1+β)] 13、一个放大电路的中频电压放大倍数 Ａvm=-10, ｆL=50Hz, ｆH=100KHz ，由图中Ｖi 的波形分别画出 对应的Ｖo 波形。 14、电路如图所示(用(a)增大,(b)减小,(c)不变或基本不变填空) ①若将电路中 Ce 由 100μF ,改为 10μF,则|Avm|将_,ｆL 将_,ｆH 将 _ ,中频相移 将 _. ②若将一个 6800pF 的电容错焊到管子 b,c 两极之间,则|Avm|将_, ｆL 将_, ｆH 将_ ③若换一个ｆT 较低的晶体管,则|Avm|将_,ｆL 将_,ｆH 将_. 15、一个放大电路的对数幅频特性如图所示.由图可知,中频放大倍数|Avm|=_, ｆL 为_,ｆH 为_,当信号频率为ｆL 或ｆH 时,实际的电压增益为 _