半导体及基本电路 1.测得某NW管得V距=0.7Y,VCE=0.2V,由此可判定它工作在区. 2、为保证BJT共发射极放大器不产生削波失真，并要求在2X得负载上有不小于2V得信号电压幅度，在选 择静态工作点时，就应保证引1CQ≥ ,VCEQ≥ 3、在晶体管放大电路中测得三个品体管的各个电极的电位如图所示。试判断各品体管的类型（是P管还 是NPW管，是硅管还是管)，并区分e、b、c三个电极。 -1.4w C 4、用万用表直流电压档测得电路中品体管各电极的对地电位，试判断这些品体管分别处于那种工作状态（饱 和、截止、放大、倒置或已损坏)。 3AD6A 9-8.5v +6 18N￥-12x 3DG8C -9.2w +5.3 。-12.3N -3N 85.3 B 5、如下电路能否实现正常放大？ 12 Rb7510k2 10μF L100μF (2)
半导体及基本电路 1、测得某 NPN 管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作在_区。 2、为保证 BJT 共发射极放大器不产生削波失真，并要求在 2K 得负载上有不小于 2V 得信号电压幅度，在选 择静态工作点时，就应保证|ＩCQ|≥_，|ＶCEQ|≥_。 3、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各晶体管的类型(是 PNP 管还 是 NPN 管,是硅管还是锗管),并区分 e、b、c 三个电极。 4、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别处于那种工作状态（饱 和、截止、放大、倒置或已损坏）。 5、如下电路能否实现正常放大？
6、某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线牲放大条件下对同一个电路测 了四组数指。找出其中错误的一组。 4.c=0.5Ui=10a.to0.3 B.Ic=1.0mA,Ui=10mV,Uo-0.62V C.1c1.5ml,Ui=10m,o-0.96 D.Ie=2mA,Ui=10mV,Uo-0.45v 7、在由PP品体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1K、5mY的正弦电压时，输出电压波形出 现了顶部削平的失真。这种失真是· A饱和失真B.载止失真C.交越失真D.须米失真 8、在如图所示的基木放大电路中，输出瑞接有负拽电阻，给入端加有正弦信号电压。若输出电压波形 出现底部削平的饱和失真，在不改变输入信号的条件下，减小的值，将出现什么现象？ o+Vec U A可能使失真消失 B.失真更加严重C.可能出现波形两头都削平的失真。 9、为了使一个电压信号能得到有效的放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入什 么电路？ 人共射电路 B.共基电路C.共集电 10、在如图所示的放大电路中，设Vec=10,b1-4K0,贴2-6x0,Rc=2X0,Re=3.3X0,R1=2K0。电容C1, C2和Ce都足够大.若更换晶体管使B由50改为100，rb'约为0)，则此放大电路的电压放大倍数一 Rb2 R H A约为原来的2倍B.约为原来的0.5倍C.基本不变D.约为原来的4倍 1、对于如图所示电路，问关于放大倍数的计算，以下式子哪个正确？
6、某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件下对同一个电路测 了四组数据。找出其中错误的一组。 A. Ic=0.5mA,Ui=10mV,Uo=0.37V B.Ic=1.0mA,Ui=10mV,Uo=0.62V C. Ic=1.5mA,Ui=10mV,Uo=0.96V D.Ic=2mA,Ui=10mV,Uo=0.45V 7、在由 PNP 晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为 1KHz、5mV 的正弦电压时，输出电压波形出 现了顶部削平的失真。这种失真是_。 A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真 8、在如图所示的基本放大电路中，输出端接有负载电阻 RL，输入端加有正弦信号电压。若输出电压波形 出现底部削平的饱和失真，在不改变输入信号的条件下，减小 RL 的值，将出现什么现象？ A.可能使失真消失 B.失真更加严重 C. 可能出现波形两头都削平的失真。 9、为了使一个电压信号能得到有效的放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入什 么电路？ A.共射电路 B.共基电路 C.共集电路 10、在如图所示的放大电路中，设 Vcc=10V，Rb1=4KΩ,Rb2=6KΩ,Rc=2KΩ,Re=3.3KΩ,Rl=2KΩ。电容 C1， C2 和 Ce 都足够大。若更换晶体管使 β 由 50 改为 100，ｒbb'约为 0)，则此放大电路的电压放大倍数_。 A.约为原来的 2 倍 B.约为原来的 0.5 倍 C.基本不变 D.约为原来的 4 倍 11、对于如图所示电路，问关于放大倍数的计算，以下式子哪个正确？
R2 T Rb R A.-BX[(RclIRL)/(rbe+Re)]B.-B [(RelIRL)/rbe]C.-BX[(RclIRL)/()] 12、设图所示的的放大电路处于正常放大状老，各电容都足够大。则该电路的输入电阻为 A.Ri=Rell [rbe+(Rbl+Rb2)] B.RizRelltbe C.Ri=Rell ([rbe+(Rbl+Rb2)]/(1+B)}D.Ri=Rell[rbe/(1+B)] 13、一个放大电路的中频电压放大倍数Av-10,L=50,f1002,由图中V1的波形分别画出 对应的Vo波形。 14、电路如图所示（用(a)增大，(b)减小，()不变或基本不变填空） ①若将电路中Ce由100μF,改为10uE,则|Avm将一，L将 一，H将 一，中须相移 将 ②若将一个68OOpF的电容错焊到管子b,c两极之间，则IAvm将fL将一，fH将 ③若换一个fT较低的品体管，则Avm将 fL将 Vi 15、一个放大电路的对数幅须特性如图所示.由图可知，中频放大倍数A一，fL为一H ,当信号频率为fL或fH时，实际的电压增益为」
A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)] B.-β[(Rc||RL)/rbe] C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)] 12、设图所示的的放大电路处于正常放大状态，各电容都足够大。则该电路的输入电阻为_。 A. Ri=Re||[rbe+(Rb1+ Rb2)] B. Ri=Re||rbe C. Ri=Re||{[rbe+(Rb1+ Rb2)] /(1+β)} D.Ri=Re||[rbe/(1+β)] 13、一个放大电路的中频电压放大倍数 Ａvm=-10, ｆL=50Hz, ｆH=100KHz ，由图中Ｖi 的波形分别画出 对应的Ｖo 波形。 14、电路如图所示(用(a)增大,(b)减小,(c)不变或基本不变填空) ①若将电路中 Ce 由 100μF ,改为 10μF,则|Avm|将_,ｆL 将_,ｆH 将 _ ,中频相移 将 _. ②若将一个 6800pF 的电容错焊到管子 b,c 两极之间,则|Avm|将_, ｆL 将_, ｆH 将_ ③若换一个ｆT 较低的晶体管,则|Avm|将_,ｆL 将_,ｆH 将_. 15、一个放大电路的对数幅频特性如图所示.由图可知,中频放大倍数|Avm|=_, ｆL 为_,ｆH 为_,当信号频率为ｆL 或ｆH 时,实际的电压增益为 _
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