三、场效应管及其放大电路 1.场效应管的漏极电流是由 的漂移运动形成。 A少子B多子C两种载流子 2.场效应管是一种控制型的电子器件。 A电流B光C电压 3.场效应管是利用外加电压产生的 一来控制漏极电流的大小的。 A电流B电场C电压 4.结型场效应管利用删源极间所加的 来改变导电沟道的电阻。 A反偏电压B反向电流C正偏电压 5.P沟道结型场效应管的夹断电压Uastom为 A正值B负值C零 6P沟道增强型MOS管的开启电压UGs为 A正值B负值C零 7.为了提高输入电阻，对于结型场效应管，栅源极之间的P结 A必须正偏B必须反偏C可以任意偏置 8.若耗尽型的NMOS管的Gs>0,则其输入电阻 A增大B减小C不变 9.结型场效应管外加电压Vs和s的极性】 A无特殊要求8必须相反C必须相同 10.当场效应管的漏极直流电流D从1mA变为2A时，它的低频跨导将 A增大B减小C不变 1L.P沟道耗尽型MOS管的外加电压Vcs的极性为 A正B负C可正可负
三、场效应管及其放大电路 1.场效应管的漏极电流是由 _ 的漂移运动形成。 少子 多子 两种载流子 2.场效应管是一种 控制 型的电子器件。 电流 光 电压 3.场效应管是利用外加电压产生的 _ 来控制漏极电流的大小的。 电流 电场 电压 4.结型场效应管利用删源极间所加的 _ 来改变导电沟道的电阻。 反偏电压 反向电流 正偏电压 5.P 沟道结型场效应管的夹断电压 UGS(off)为 _ 。 正值 负值 零 6 P 沟道增强型 MOS 管的开启电压 UGS(th)为 _ 。 正值 负值 零 7.为了提高输入电阻，对于结型场效应管，栅源极之间的 PN 结_ 。 必须正偏 必须反偏 可以任意偏置 8.若耗尽型的 NMOS 管的 VGS>0 ，则其输入电阻_ 。 增大 减小 不变 9.结型场效应管外加电压 VGS 和 VDS 的极性 _ 。 无特殊要求 必须相反 必须相同 10.当场效应管的漏极直流电流 ID 从 1mA 变为 2mA 时,它的低频跨导将_ 增大 减小 不变 11.P 沟道耗尽型 MOS 管的外加电压 VGS 的极性为 _ 。 正 负 可正可负
12.P沟道增强型MOS管的，外加电压Vcs的极性为 知4 A正B负C可正可负 13.某场效应管的转移特性如由图所示，则该管是 场效应管。 A增强型NMOS B耗尽型NMOS C耗尽型PNOS 13.当s=0时，不能够工作在恒流区的场效应管是 A结型B增强型MOS管C耗尽型MOS管 l5.结型场效应管的漏源击穿电压UaRs随Wcs的增大而· A增大B减小C不变 16.各种场效应管对电压s极性的要求由 决定。 A'Gs的极性B耗尽型还是增强型C沟道的类型 17.场效应管自给偏压电路适合于 场效应管组成的放大电路。 A增强型B耗尽型C增强型和耗尽型 18.场效应管分压失偏置电路适合于一场效应管组成的放大电路。 A增强型B耗尽型C增强型和耗尽型 19,反映场效应管放大能力的一个重要参数是 A输出电阻B击穿电压C跨导 20·对于结型场效应管来说，如果Us>亿UGsoml,那么，管子一定工作于 A可变电阻区B饱和区C截止区 21.当场效应管工作于放大区时，其漏极电流只受电压一的控制
12.P 沟道增强型 MOS 管的，外加电压 VGS 的极性为 _ 。 正 负 可正可负 13． 某场效应管的转移特性如由图所示，则该管是 _ 场效应管 。 增强型 NMOS 耗尽型 NMOS 耗尽型 PMOS 13.当 VGS =0 时， 不能够工作在恒流区的场效应管是_ 。 结型 增强型 MOS 管 耗尽型 MOS 管 15.结型场效应管的漏源击穿电压 UBRDS 随 VGS 的增大而_ 。 增大 减小 不变 16.各种场效应管对电压 VDS 极性的要求由 _ 决定。 VGS 的极性 耗尽型还是增强型 沟道的类型 17.场效应管自给偏压电路适合于_ 场效应管组成的放大电路。 增强型 耗尽型 增强型和耗尽型 18.场效应管分压失偏置电路适合于_ 场效应管组成的放大电路。 增强型 耗尽型 增强型和耗尽型 19 ．反映场效应管放大能力的一个重要参数是_。 输出电阻 击穿电压 跨导 20 ．对于结型场效应管来说，如果 |UGS|>|UGS(off)|, 那么，管子一定工作于 _ 。 可变电阻区 饱和区 截止区 21.当场效应管工作于放大区时，其漏极电流 ID 只受电压 _ 的控制 _
AUGs BUGD CUps 22.当场效应管工作于放大区时，耗尽型场效应管b的数学表达式为： Aip=Ipssetos Bn=lns（(us-4ps)月 c-a- 23.增强型场效应管导通的的必要条件是 oal os=p Ckoslo 24,某场效应管的s=3mA,bo=8mA,b的方向是从漏极流出，则该管为 A耗尽型PMOS B耗尽型NMOS C增强型PMOS 25.与双极型晶体管比较，场效应管 A输入电阻小B制作工艺复杂C放大能力弱 26,P沟道增强型M0S管工作在恒流区的条件是 AUasUce,Us之Us-Uce
UGS UGD UDS 22.当场效应管工作于放大区时，耗尽型场效应管 ID 的数学表达式为：_ 23.增强型场效应管导通的的必要条件是_ 24 ．某场效应管的 IDS=3mA，IDQ=8mA， ID 的方向是从漏极流出，则该管为 _ 耗尽型 PMOS 耗尽型 NMOS 增强型 PMOS 25.与双极型晶体管比较，场效应管_ 输入电阻小 制作工艺复杂 放大能力弱 26 ．P 沟道增强型 MOS 管工作在恒流区的条件是 _。 ， ，
27.N沟道结型场效应管工作于放大状态时，要求：0 ≥Gso> ,Upso>】 AUosoa),Ues-U ostce) B-Uoskc)Uos +Uosto CU ostoe),Ucs+Ucso画 28.N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求 UGsQ>,UDso< 。 AUGsth)Ucso-UGsth) BUGsth),UGsQ +UGs(h) CUasth),Uaso 29.放大电路如图所示，Rs=Rm,且各电容的容量都足够大，则o1+2的值是 gm Rp 2gm RD 月1+名风80C1+名R
27.N 沟道结型场效应管工作于放大状态时，要求：0 ≥UGSQ>_,UDSQ>_ 。 ， ， ， 28.N 沟道增强型 MOSFET 工作于放大工作状态时，要求 UGSQ>_,UDSQ<_ 。 UGS(th) , UGSQ - UGS(th) UGS(th) , UGSQ +UGS(th) UGS(th) ,UGSQ 29.放大电路如图所示,R S=R D, 且各电容的容量都足够大，则 U O1+U O2 的值是 _ 0
T C 0 30.一N型沟道增强型MOS场效应管放大电路如图所示。在线性放大条件下 (1)电路的电压放大倍数A= A-8aR,B-8aRC-gmR∥R (2)电路的输入电阻R= A Ro B Ro+Ro+Ro2 CRe+Re∥R2 (3)输出电阻Ro AoBR+RCR∥R
30.一 N 型沟道增强型 MOS 场效应管放大电路如 图所示。在线性放大条件下 (1)电路的电压放大倍数 AU=_ (2)电路的输入电阻 Ri=_ (3)输出电阻 Ro=_